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ASML:第二代EUV系统预期2024年问世

本文摘要:在第一套近于紫外光(EUV)微影设备月销售之前,荷兰半导体设备大厂ASML透漏了产业界期待已久的先前计划;该公司回应将投资并与光学大厂蔡司(CarlZeiss)合作,发售数值孔径(numericalaperture,NA)低于0.5的版本,但该新一代设备之前2024年以后才不会量产。

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在第一套近于紫外光(EUV)微影设备月销售之前,荷兰半导体设备大厂ASML透漏了产业界期待已久的先前计划;该公司回应将投资并与光学大厂蔡司(CarlZeiss)合作,发售数值孔径(numericalaperture,NA)低于0.5的版本,但该新一代设备之前2024年以后才不会量产。  ASML回应打算投资20亿美元展开上述新的设备的研发,将以11亿美元现金并购蔡司24.9%的股份;此外ASML将一次投资大约2.44亿美元在合作研发专案上,并在接下来六年于资本设备以及其他市场需求方面加码投资6亿美元。

  上述合作案再行一次说明了半导体产业界追上摩尔定律(Moore'sLaw)的任务,是如何地更加简单、得代价的代价也更高。目前最先进设备的晶片线宽小至35奈米,而第一代EUV系统将使用0.33NA的光学镜片构建大约13奈米的线宽;而0.5NA版本将能构建大约8奈米的线宽。

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  市场研究机构VLSIResearch总裁RistoPuhakka回应:ASML在以往未曾必要投资供应链上的任何厂商,而且是并购那么大比例的股份;这表明要打造出新一代的系统是个高风险任务,同时表明投资了大笔资金的ASML显然信心满满。  除了宣告与蔡司的合作案讯息,ASML也传达了对其将要打算提供支援量产的第一代EUV系统之悲观预期;该公司执行长PeterWennink回应:预期到2018年,将有第一批使用现有技术之EUV扫描机的晶片在我们的客户生产线上量产销售。


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